偏堿高低為:四氫吡咯>吡啶>苯胺>吡咯。
1、N分子上官能團(tuán)越多,抵觸電子器件的力越大,N分子上電子云相對密度提升,偏堿提高。
2、N分子上孤電子對參加共軛點,N分子上電子云相對密度減少,偏堿變?nèi)酢?/strong>
拓展材料:
分子有較高的電負(fù)性(3.04),它同電負(fù)性較低的金屬材料,如Li(電負(fù)性0.98)、Ca(電負(fù)性1.00)、Mg(電負(fù)性1.31)等產(chǎn)生二元氮化合物時,可以得到3個電子器件而產(chǎn)生N3-正離子。
N?6Li=2Li?N
N?3Mg=引燃=Mg?N?
N3-正離子的負(fù)電較高,半經(jīng)很大(171pm),碰到水分會明顯水解反應(yīng),因而的無機化合物化合物只有存有于干態(tài),不容易有N3-的水合離子。
產(chǎn)生化學(xué)鍵
N分子同電負(fù)性較高的非金屬材料產(chǎn)生化合物時,產(chǎn)生以下幾類化學(xué)鍵:
⑴N分子采用sp3成鍵態(tài),產(chǎn)生三個化學(xué)鍵,保存一對孤電子對,分子構(gòu)型為三角錐型,比如NH?、NF?、NCl?等。
若產(chǎn)生四個共價鍵單鍵,則分子構(gòu)型為正四面體型,比如NH?正離子。
⑵N分子采用sp2成鍵態(tài),產(chǎn)生2個化學(xué)鍵和1個單鍵,并保存有一對孤電子對,分子構(gòu)型為角形,比如Cl—N=O。(N分子與Cl分子產(chǎn)生一個σ鍵和一個π鍵,N分子上的一對孤電子對使分子結(jié)構(gòu)變成角形。)
偏堿高低為:四氫吡咯>吡啶>苯胺>吡咯。
原因:N分子上電子云相對密度越大,偏堿越強。
1、N分子上官能團(tuán)越多,抵觸電子器件的力越大,N分子上電子云相對密度提升,偏堿提高。
2、N分子上孤電子對參加共軛點,N分子上電子云相對密度減少,偏堿變?nèi)酢?/p>
拓展材料:
分子有較高的電負(fù)性(3.04),它同電負(fù)性較低的金屬材料,如Li(電負(fù)性0.98)、Ca(電負(fù)性1.00)、Mg(電負(fù)性1.31)等產(chǎn)生二元氮化合物時,可以得到3個電子器件而產(chǎn)生N3-正離子。
N?6Li=2Li?N
N?3Mg=引燃=Mg?N?
N3-正離子的負(fù)電較高,半經(jīng)很大(171pm),碰到水分會明顯水解反應(yīng),因而的無機化合物化合物只有存有于干態(tài),不容易有N3-的水合離子。
產(chǎn)生化學(xué)鍵
N分子同電負(fù)性較高的非金屬材料產(chǎn)生化合物時,產(chǎn)生以下幾類化學(xué)鍵:
⑴N分子采用sp3成鍵態(tài),產(chǎn)生三個化學(xué)鍵,保存一對孤電子對,分子構(gòu)型為三角錐型,比如NH?、NF?、NCl?等。
若產(chǎn)生四個共價鍵單鍵,則分子構(gòu)型為正四面體型,比如NH?正離子。
⑵N分子采用sp2成鍵態(tài),產(chǎn)生2個化學(xué)鍵和1個單鍵,并保存有一對孤電子對,分子構(gòu)型為角形,比如Cl—N=O。(N分子與Cl分子產(chǎn)生一個σ鍵和一個π鍵,N分子上的一對孤電子對使分子結(jié)構(gòu)變成角形。)